casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW160808XMR47MLC
Número da peça de fabricante | CIGW160808XMR47MLC |
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Número da peça futura | FT-CIGW160808XMR47MLC |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW160808XMR47MLC Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 470nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 43 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW160808XMR47MLC Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW160808XMR47MLC-FT |
CIGT201610UM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT2016R6MH100SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW160808XMR47SLC
Samsung Electro-Mechanics
CIGW201610GH1R0MLE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel