casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT252010LM2R2SNE
Número da peça de fabricante | CIGT252010LM2R2SNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT252010LM2R2SNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT252010LM2R2SNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010LM2R2SNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT252010LM2R2SNE-FT |
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER47MNE
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CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I2N
Intel
EP4SGX230KF40I4
Intel
5SGSMD3E2H29C3N
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EP4SGX290NF45I4
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XC7A75T-1CSG324C
Xilinx Inc.
5CEFA2M13C8N
Intel