casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT2016R6MH100MNE
Número da peça de fabricante | CIGT2016R6MH100MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT2016R6MH100MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT2016R6MH100MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | 600mA |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.026" (0.65mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT2016R6MH100MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT2016R6MH100MNE-FT |
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
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Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation