casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT201610UMR24MNE
Número da peça de fabricante | CIGT201610UMR24MNE |
---|---|
Número da peça futura | FT-CIGT201610UMR24MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT201610UMR24MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 240nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 4.7A |
Atual - saturação | 5.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UMR24MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT201610UMR24MNE-FT |
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR27MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-1200ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
Intel
EP20K400EBC652-1XD
Intel