casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT200A170D3G
Número da peça de fabricante | APTGT200A170D3G |
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Número da peça futura | FT-APTGT200A170D3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGT200A170D3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 400A |
Potência - Max | 1250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 17nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200A170D3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGT200A170D3G-FT |
FS820R08A6P2BPSA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2LBBPSA1
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FS820R08A6P2LMBPSA1
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VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
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VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
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A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
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10AX022E3F29I2SG
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A54SX32A-2TQ100I
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LCMXO640C-3M100I
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10AX048E1F29I1HG
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