casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGT100H120G

| Número da peça de fabricante | APTGT100H120G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-APTGT100H120G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| APTGT100H120G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configuração | Full Bridge Inverter |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 140A |
| Potência - Max | 480W |
| Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
| Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.2nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | SP6 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP6 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTGT100H120G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | APTGT100H120G-FT |

VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT100TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT50TP60N
Vishay Semiconductor Diodes Division

FD400R07PE4RB6BOSA1
Infineon Technologies

FD401R17KF6C_B2
Infineon Technologies

FF300R06KE3B2HOSA1
Infineon Technologies

F450R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies

XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.

XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.

XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.

M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

EP1S20F484C7N
Intel

5SGSED8K3F40C2L
Intel

5SGXMA7N2F45I3N
Intel

EP4SE530F43C2ES
Intel

LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

5SGSMD3H2F35I3L
Intel