casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT100TP60N
Número da peça de fabricante | VS-GT100TP60N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT100TP60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT100TP60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 160A |
Potência - Max | 417W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT100TP60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT100TP60N-FT |
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
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DDB6U180N16RRB11BPSA1
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DF450R12N2E4PB11BPSA1
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DF450R17N2E4PB11BPSA1
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DF600R12N2E4PB11BPSA1
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F4200R17N3E4BPSA1
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F575R06KE3B5BOSA1
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FP100R06KE3BOSA1
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XA3S500E-4FT256Q
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XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
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LFX125EB-04FN256C
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LFE2-20E-5FN256I
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ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel