casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT100TP60N
Número da peça de fabricante | VS-GT100TP60N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT100TP60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT100TP60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 160A |
Potência - Max | 417W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT100TP60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT100TP60N-FT |
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL010S-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSED6K2F40C2N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation