casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT200TP065N
Número da peça de fabricante | VS-GT200TP065N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT200TP065N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT200TP065N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 221A |
Potência - Max | 600W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 60µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT200TP065N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT200TP065N-FT |
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel