casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT200TP065N
Número da peça de fabricante | VS-GT200TP065N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT200TP065N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT200TP065N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 221A |
Potência - Max | 600W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 60µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT200TP065N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT200TP065N-FT |
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel