casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT200TP065N
Número da peça de fabricante | VS-GT200TP065N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT200TP065N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT200TP065N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 221A |
Potência - Max | 600W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 60µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-Pak |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT200TP065N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT200TP065N-FT |
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel