casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT50TP60N
Número da peça de fabricante | VS-GT50TP60N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT50TP60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT50TP60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 85A |
Potência - Max | 208W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.03nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT50TP60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT50TP60N-FT |
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
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DF450R17N2E4PB11BPSA1
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DF600R12N2E4PB11BPSA1
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F4200R17N3E4BPSA1
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FP100R06KE3BOSA1
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FP100R07N3E4B11BOSA1
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FP100R07N3E4BOSA1
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FP100R12KT4B11BOSA1
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A3P125-TQG144
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LFE2M70E-6FN1152I
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A3PN030-Z2VQG100
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5SGXMA4K1F40C2LN
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EPF10K30ABC356-4
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EPF10K20RC208-4N
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