casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / VS-GT50TP60N
Número da peça de fabricante | VS-GT50TP60N |
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Número da peça futura | FT-VS-GT50TP60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
VS-GT50TP60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 85A |
Potência - Max | 208W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.03nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | INT-A-PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT50TP60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | VS-GT50TP60N-FT |
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP100R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
5SGXEA5N3F45I4N
Intel
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP2AGZ350FF35I3
Intel
EP4SGX70HF35I4N
Intel