casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGLQ600A65T6G
Número da peça de fabricante | APTGLQ600A65T6G |
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Número da peça futura | FT-APTGLQ600A65T6G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGLQ600A65T6G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1200A |
Potência - Max | 2000W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 600µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 36.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SP6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ600A65T6G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGLQ600A65T6G-FT |
FF800R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KS4F
Infineon Technologies
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel