casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FP50R07N2E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FP50R07N2E4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FP50R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70A |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FP50R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4PBOSA1
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FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP1S40F780I6
Intel