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Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q
- Número da peça MFG
- TPN1110ENH,L1Q
- Quantidade disponível
- 57280 Peças
- Preço de referência
- USD 0.49504
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- TPN1110ENH,L1Q.pdf
TPN1110ENH,L1Q Especificações
| Número da peça de fabricante | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-TPN1110ENH,L1Q |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | U-MOSVIII-H |
| TPN1110ENH,L1Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN1110ENH,L1Q Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | TPN1110ENH,L1Q-FT |
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