casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK12P60W,RVQ
Número da peça de fabricante | TK12P60W,RVQ |
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Número da peça futura | FT-TK12P60W,RVQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSIV |
TK12P60W,RVQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12P60W,RVQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK12P60W,RVQ-FT |
2SK3670,F(J
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