casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK560P60Y,RQ
Número da peça de fabricante | TK560P60Y,RQ |
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Número da peça futura | FT-TK560P60Y,RQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSV |
TK560P60Y,RQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK560P60Y,RQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK560P60Y,RQ-FT |
2SK2989,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK040N65Z,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel