casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK560P60Y,RQ
Número da peça de fabricante | TK560P60Y,RQ |
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Número da peça futura | FT-TK560P60Y,RQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | DTMOSV |
TK560P60Y,RQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 300V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK560P60Y,RQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK560P60Y,RQ-FT |
2SK2989,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3670,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK040N65Z,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel