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Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3,RQ(S

Name: TJ15P04M3,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TJ15P04M3,RQ(S
Price: 0.26564 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (321 reviews)

Número da peça MFG: TJ15P04M3,RQ(S

Quantidade disponível: 57250 Peças

Preço de referência: USD 0.26564

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVI MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TJ15P04M3,RQ(S.pdf

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TJ15P04M3,RQ(S Especificações

Número da peça de fabricante	TJ15P04M3,RQ(S
Número da peça futura	FT-TJ15P04M3,RQ(S
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVI
TJ15P04M3,RQ(S Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	29W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DPAK
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TJ15P04M3,RQ(S Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TJ15P04M3,RQ(S-FT

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