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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT,L3F
- Número da peça MFG
- SSM3J35CT,L3F
- Quantidade disponível
- 71160 Peças
- Preço de referência
- USD 0.034
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição breve
- π-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SSM3J35CT,L3F.pdf
SSM3J35CT,L3F Especificações
| Número da peça de fabricante | SSM3J35CT,L3F |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SSM3J35CT,L3F |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | π-MOSVI |
| SSM3J35CT,L3F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (máx.) | ±10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 100mW (Ta) |
| Temperatura de operação | 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | CST3 |
| Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3J35CT,L3F Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SSM3J35CT,L3F-FT |
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