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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F

Name: SSM6J213FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J213FE(TE85L,F
Price: 0.0792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

Número da peça MFG: SSM6J213FE(TE85L,F

Quantidade disponível: 90100 Peças

Preço de referência: USD 0.0792

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVI MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

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SSM6J213FE(TE85L,F Especificações

Número da peça de fabricante	SSM6J213FE(TE85L,F
Número da peça futura	FT-SSM6J213FE(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVI
SSM6J213FE(TE85L,F Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ES6
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J213FE(TE85L,F Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM6J213FE(TE85L,F-FT

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