casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SSM6J207FE,LF
Número da peça de fabricante | SSM6J207FE,LF |
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Número da peça futura | FT-SSM6J207FE,LF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSII |
SSM6J207FE,LF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 251 mOhm @ 650mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 137pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ES6 (1.6x1.6) |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6J207FE,LF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SSM6J207FE,LF-FT |
SIHG100N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG180N60E-GE3
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SIHG21N65EF-GE3
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