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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF

Name: SSM6J216FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J216FE,LF
Price: 0.1056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (330 reviews)

Número da peça MFG: SSM6J216FE,LF

Quantidade disponível: 31970 Peças

Preço de referência: USD 0.1056

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SSM6J216FE,LF.pdf

SSM6J216FE,LF Especificações

Número da peça de fabricante	SSM6J216FE,LF
Número da peça futura	FT-SSM6J216FE,LF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVI
SSM6J216FE,LF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	ES6
Pacote / caso	SOT-563, SOT-666
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J216FE,LF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SSM6J216FE,LF-FT

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