casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ7415AENW-T1_GE3
Número da peça de fabricante | SQ7415AENW-T1_GE3 |
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Número da peça futura | FT-SQ7415AENW-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SQ7415AENW-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1385pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 53W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ7415AENW-T1_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQ7415AENW-T1_GE3-FT |
SIA450DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA450DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA453EDJ-T1-GE3
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SIA456DJ-T1-GE3
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SIA467EDJ-T1-GE3
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SIA477EDJ-T1-GE3
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SIA477EDJT-T1-GE3
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SQA401EEJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel