casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA477EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA477EDJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA477EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA477EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 8V |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA477EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA477EDJ-T1-GE3-FT |
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8126,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel