casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA477EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA477EDJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA477EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA477EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 8V |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA477EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA477EDJ-T1-GE3-FT |
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8126,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel