casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA477EDJT-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA477EDJT-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA477EDJT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen III |
SIA477EDJT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 19W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA477EDJT-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA477EDJT-T1-GE3-FT |
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8051-H(TE12L,Q)
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TPC8062-H,LQ(CM
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TPC8111(TE12L,Q,M)
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TPC8113(TE12L,Q)
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TPC8115(TE12L,Q,M)
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TPC8126,LQ(CM
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TPC8A02-H(TE12L,Q)
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AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel