casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA462DJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA462DJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA462DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA462DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA462DJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA462DJ-T1-GE3-FT |
TPC8035-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8036-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8042(TE12L,Q,M)
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TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
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M2GL025S-1VF400I
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XC2VP2-6FFG672C
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