casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW55N80C3FKSA1
Número da peça de fabricante | SPW55N80C3FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-SPW55N80C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ C3 |
SPW55N80C3FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 54.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 32.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3.3mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 288nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7520pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW55N80C3FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPW55N80C3FKSA1-FT |
IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI14N03LA
Infineon Technologies
IPI16CN10N G
Infineon Technologies
IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
IPI180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI200N15N3 G
Infineon Technologies
IPI200N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
IPI25N06S3-25
Infineon Technologies
IPI25N06S3L-22
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel