casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI16CNE8N G
Número da peça de fabricante | IPI16CNE8N G |
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Número da peça futura | FT-IPI16CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI16CNE8N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 85V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI16CNE8N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI16CNE8N G-FT |
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
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SPW35N60C3FKSA1
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SPW35N60CFDFKSA1
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SPW47N65C3FKSA1
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SPW52N50C3FKSA1
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BTS244ZNKSA1
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BTS247ZAKSA1
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BSB056N10NN3GXUMA1
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A1425A-1PQ100I
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A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP2AGX125DF25C4N
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