casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI200N15N3 G
Número da peça de fabricante | IPI200N15N3 G |
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Número da peça futura | FT-IPI200N15N3 G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI200N15N3 G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI200N15N3 G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI200N15N3 G-FT |
SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N65C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW52N50C3FKSA1
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BTS244ZNKSA1
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BTS247ZAKSA1
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BSB056N10NN3GXUMA1
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BSB013NE2LXIXUMA1
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BSB014N04LX3GXUMA1
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel