casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI22N03S4L15AKSA1

| Número da peça de fabricante | IPI22N03S4L15AKSA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IPI22N03S4L15AKSA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | OptiMOS™ |
| IPI22N03S4L15AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
| Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPI22N03S4L15AKSA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IPI22N03S4L15AKSA1-FT |

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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

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