casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD30P06P
Número da peça de fabricante | SPD30P06P |
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Número da peça futura | FT-SPD30P06P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
SPD30P06P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 21.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD30P06P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPD30P06P-FT |
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD65R950C6ATMA1
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IPD65R950CFDATMA1
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IPD65R950CFDBTMA1
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IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
IPD70N10S312ATMA1
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IPD70N10S3L12ATMA1
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IPD70R1K4CEAUMA1
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IPD70R1K4P7SAUMA1
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel