casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD65R950CFDBTMA1
Número da peça de fabricante | IPD65R950CFDBTMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD65R950CFDBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD65R950CFDBTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 36.7W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R950CFDBTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD65R950CFDBTMA1-FT |
IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA1
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IPD50N06S4L08ATMA2
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IPD50N06S4L12ATMA1
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XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel