casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD65R660CFDBTMA1
Número da peça de fabricante | IPD65R660CFDBTMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD65R660CFDBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD65R660CFDBTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R660CFDBTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD65R660CFDBTMA1-FT |
IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N03S4L06ATMA1
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IPD50N06S2L13ATMA2
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IPD50N06S409ATMA1
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IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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