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Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1
- Número da peça MFG
- IPD65R660CFDATMA1
- Quantidade disponível
- 72150 Peças
- Preço de referência
- USD 0.558832
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 6A TO252
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IPD65R660CFDATMA1.pdf
IPD65R660CFDATMA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | IPD65R660CFDATMA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IPD65R660CFDATMA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | CoolMOS™ |
| IPD65R660CFDATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
| Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPD65R660CFDATMA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IPD65R660CFDATMA1-FT |
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