casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD30N08S2-22
Número da peça de fabricante | SPD30N08S2-22 |
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Número da peça futura | FT-SPD30N08S2-22 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
SPD30N08S2-22 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | P-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD30N08S2-22 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPD30N08S2-22-FT |
IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD65R950C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel