casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD30N06S2L-13
Número da peça de fabricante | SPD30N06S2L-13 |
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Número da peça futura | FT-SPD30N06S2L-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
SPD30N06S2L-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | P-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD30N06S2L-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SPD30N06S2L-13-FT |
IPD65R600E6BTMA1
Infineon Technologies
IPD65R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD65R950C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel