casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / SMUN5312DW1T1G

| Número da peça de fabricante | SMUN5312DW1T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SMUN5312DW1T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SMUN5312DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 187mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SMUN5312DW1T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SMUN5312DW1T1G-FT |

NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor

XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.

EP1K50TI144-2N
Intel

EP20K30ETC144-2X
Intel

EPF10K30ETC144-2X
Intel

EPF6016ATI144-3
Intel

ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

M1AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation

EP20K400EFC672-3N
Intel

EP2C8F256C7
Intel