casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / SMUN5116DW1T1G
Número da peça de fabricante | SMUN5116DW1T1G |
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Número da peça futura | FT-SMUN5116DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SMUN5116DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 187mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5116DW1T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SMUN5116DW1T1G-FT |
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor
NSTB1003DXV5T1G
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NSTB1004DXV5T1G
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MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor
EX128-PTQ64I
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XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
EP4CE6F17I7
Intel
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel