casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / MUN5336DW1T1G

| Número da peça de fabricante | MUN5336DW1T1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MUN5336DW1T1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MUN5336DW1T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 100 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 250mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MUN5336DW1T1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MUN5336DW1T1G-FT |

NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

EMF5XV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T5G
ON Semiconductor

XCS10XL-4TQ144C
Xilinx Inc.

AFS600-FG256
Microsemi Corporation

M1A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation

EP20K1000EFC672-2X
Intel

A42MX16-TQG176A
Microsemi Corporation

LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K50VQC240-3EM
Intel

EPF8636AQC160-4N
Intel