casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSTB1002DXV5T1
Número da peça de fabricante | NSTB1002DXV5T1 |
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Número da peça futura | FT-NSTB1002DXV5T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSTB1002DXV5T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB1002DXV5T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSTB1002DXV5T1-FT |
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
EP20K30ETC144-3N
Intel
XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel