casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / NSTB1002DXV5T1
Número da peça de fabricante | NSTB1002DXV5T1 |
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Número da peça futura | FT-NSTB1002DXV5T1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NSTB1002DXV5T1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V, 40V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSTB1002DXV5T1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NSTB1002DXV5T1-FT |
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
XCV50-4FG256C
Xilinx Inc.
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
Intel
EP4SGX180KF40I4
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel