casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / EMG2DXV5T1G
Número da peça de fabricante | EMG2DXV5T1G |
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Número da peça futura | FT-EMG2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMG2DXV5T1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 230mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-553 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-553 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMG2DXV5T1G-FT |
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel