casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIDR140DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIDR140DP-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIDR140DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen IV |
SIDR140DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 79A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.67 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (máx.) | +20V, -16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8150pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8DC |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR140DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIDR140DP-T1-GE3-FT |
SQM120N04-1M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N04-1M9_GE3
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SQM30010EL_GE3
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SQM40010EL_GE3
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SQM40022E_GE3
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AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation