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Vishay Siliconix SQM120N06-06_GE3

Número da peça MFG
SQM120N06-06_GE3
Quantidade disponível
35030 Peças
Preço de referência
USD 1.40804
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SQM120N06-06_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SQM120N06-06_GE3
Número da peça futura FT-SQM120N06-06_GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM120N06-06_GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6495pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 230W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM120N06-06_GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SQM120N06-06_GE3-FT

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