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Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3

Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3
Price: 1.67204 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (609 reviews)

Número da peça MFG: SQM120P10_10M1LGE3

Quantidade disponível: 44370 Peças

Preço de referência: USD 1.67204

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQM120P10_10M1LGE3.pdf

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SQM120P10_10M1LGE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQM120P10_10M1LGE3
Número da peça futura	FT-SQM120P10_10M1LGE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM120P10_10M1LGE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM120P10_10M1LGE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQM120P10_10M1LGE3-FT

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