casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQM40022E_GE3
Número da peça de fabricante | SQM40022E_GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SQM40022E_GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM40022E_GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.63 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D²Pak) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM40022E_GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SQM40022E_GE3-FT |
SIR418DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR424DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR432DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR436DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR440DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR472ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR472DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR476DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR482DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR484DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel