casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI8808DB-T2-E1
Número da peça de fabricante | SI8808DB-T2-E1 |
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Número da peça futura | FT-SI8808DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI8808DB-T2-E1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-Microfoot |
Pacote / caso | 4-UFBGA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8808DB-T2-E1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI8808DB-T2-E1-FT |
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR392DP-T1-GE3
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SIDR680DP-T1-GE3
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SIDR610DP-T1-GE3
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SQS407ENW-T1_GE3
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SQS411ENW-T1_GE3
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LCMXO2-640HC-4SG48C
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A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel