casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIDR680DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIDR680DP-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIDR680DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen IV |
SIDR680DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 80V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 32.8A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8DC |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR680DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIDR680DP-T1-GE3-FT |
SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
SQM25N15-52_GE3
Vishay Siliconix
SQM30010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40022E_GE3
Vishay Siliconix
SQM40061EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40N10-30_GE3
Vishay Siliconix
SQM40N15-38_GE3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation