casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIDR622DP-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIDR622DP-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIDR622DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIDR622DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 64.6A (Ta), 56.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1516pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8DC |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR622DP-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIDR622DP-T1-GE3-FT |
SQM25N15-52_GE3
Vishay Siliconix
SQM30010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40010EL_GE3
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SQM40022E_GE3
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SQM40061EL_GE3
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SQM40N10-30_GE3
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SQM40N15-38_GE3
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SQM40P10-40L_GE3
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SQM50020EL_GE3
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SQM50N04-4M0L_GE3
Vishay Siliconix
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel