casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7153DN-T1-GE3

| Número da peça de fabricante | SI7153DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SI7153DN-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SI7153DN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±25V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 15V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI7153DN-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SI7153DN-T1-GE3-FT |

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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.

XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.

XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.

5SGXMA3H1F35C2LN
Intel