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Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3
- Número da peça MFG
- SI2319DDS-T1-GE3
- Quantidade disponível
- 72800 Peças
- Preço de referência
- USD 0.155952
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Descrição breve
- TrenchFET® Gen III MOSFET P-CHAN 40V
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SI2319DDS-T1-GE3.pdf
SI2319DDS-T1-GE3 Especificações
| Número da peça de fabricante | SI2319DDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SI2319DDS-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | TrenchFET® Gen III |
| SI2319DDS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 20V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI2319DDS-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SI2319DDS-T1-GE3-FT |
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