casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS84PH6327XTSA2
Número da peça de fabricante | BSS84PH6327XTSA2 |
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Número da peça futura | FT-BSS84PH6327XTSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS84PH6327XTSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 19pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS84PH6327XTSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS84PH6327XTSA2-FT |
SQ1421EDH-T1_GE3
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5SGXMB6R2F43C3N
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