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Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3

Name: SQ2310ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2310ES-T1_GE3
Price: 0.28476 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (63 reviews)

Número da peça MFG: SQ2310ES-T1_GE3

Quantidade disponível: 76880 Peças

Preço de referência: USD 0.28476

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fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SQ2310ES-T1_GE3.pdf

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SQ2310ES-T1_GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SQ2310ES-T1_GE3
Número da peça futura	FT-SQ2310ES-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SQ2310ES-T1_GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	485pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-236
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQ2310ES-T1_GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SQ2310ES-T1_GE3-FT

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