casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS123NH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSS123NH6327XTSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSS123NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSS123NH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 13µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123NH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS123NH6327XTSA1-FT |
SI1488DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1489EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1470EH-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRLMS1902TRPBF
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel